初步
砷化镓集成电路高隔离阳性对照
单刀双掷开关DC- 3.0 GHz的
AS176-59
特点
I
正电压控制（ 0 / + 3〜 + 5V）
I
高隔离度（50 dB的0.9 ， 1.9千兆赫）
5
I
低DC功耗
I
适合移动， GSM ， DCS ， PCS ， 3G和
2.4 GHz的ISM应用
MSOP-8
0.0256 （0.65 MM） TYP 。
销1
指标
0.118 (3.00 mm)
± 0.004 (0.1 mm)
平方米。
0.193 (4.90 mm)
REF 。
销1
0.012 (0.30 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
描述
该AS176-59是GaAs FET的IC SPDT开关封装
采用MSOP - 8塑料封装的低成本，高隔离度
商业应用。理想的基石基地
台双频应用合成隔离
是至关重要的。使用在结合AS165-59 SPST
切换到满足GSM合成器的隔离要求。
7.0˚
0.038 （0.95 MM） TYP 。
0.030 (0.75 mm)
0.017
(0.43 mm)
0.007 (0.18 mm)
± 0.005 (0.12 mm)
8.0˚
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
0.028 (0.70 mm)
0.016 (0.40 mm)
电气特性，在25℃ （0， 3 V） ，（0， + 5V）
参数
1
插入损耗
3
条件
频率
2
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
DC–3.0
J
1
–J
2
/J
1
–J
3
J
1
–J
2
/J
1
–J
3
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
DC–3.0
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
DC–3.0
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
45/50
41/38
29
22
45/50
47
36
30
分钟。
典型值。
0.7
0.8
0.8
0.9
50/55
45/42
34
27
50/55
52
40
35
1.3:1
1.5:1
1.5:1
1.8:1
马克斯。
0.9
1.0
1.1
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
4
隔离
5
J
1
–J
2
/J
1
–J
3
VSWR
6
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
7
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
双音输入功率+5 dBm的
+3 V
+5 V
0.5-3.0 GHz的
0.5-3.0 GHz的
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+41
+45
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
5.引脚4 ： GND 。
6.插入损耗状态。
与1 ns的测量7.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.引脚4 ： N / C 。
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1
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