砷化镓集成电路高隔离阳性对照
SPDT非反射开关DC- 4.0 GHz的
AS186-302
特点
I
正电压控制（ 0 / + 3为0 / + 5 V ）
I
高隔离度（55 dB的0.9 GHz的
和1.9千兆赫）
I
微型MSOP - 8裸露焊盘封装
I
基站三个交换机解决方案
合成器开关
I
不反光
I
操作到6 GHz
1
销1
指标
MSOP - 8裸露焊盘
0.122 (3.09 mm)
0.114 (2.89 mm)
8
0.0256
(0.650 mm)
典型值。
0.072 (1.83 mm)
0.062 (1.57 mm)
0.073
(1.85 mm)
0.063
(1.60 mm)
0.122
(3.09 mm)
0.114
(2.89 mm)
裸露
桨
0.200 (5.08 mm)
0.114 (4.67 mm)
0.044
（1.12 mm）最大。
描述
该AS186-302是GaAs FET的集成电路的SPDT非反射
开关采用MSOP - 8裸露焊盘塑封
封装低成本，高隔离度的商业
应用程序。理想的基石基站
应用合成器隔离是重要的。典型
应用包括GSM， PCS ，WCDMA 2.4GHz的ISM
和3.5 GHz无线本地环路。
0.012 (0.30 mm)
0.008 (0.20 mm)
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
电气规格（ 0 ，+ 5 V） ， -40〜 + 85°C
参数
1
插入损耗
条件
频率
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 4.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 4.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 4.0 GHz的
0.5-4.0 GHz的
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0/+3 V
0/+5 V
对于双音输入功率8 dBm的
0/+3 V
0/+5 V
0.9-4.0 GHz的
0.9-4.0 GHz的
0.9-4.0 GHz的
0.9-4.0 GHz的
17
24
27
42
50
45
35
分钟。
典型值。
0.8
0.9
1.0
55
50
40
1.3:1
1.3:1
1.35:1
30
50
25
21
27
38
46
1.5:1
1.6:1
1.7:1
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
马克斯。
1.05
1.15
1.25
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
2
VSWR （ON状态）
VSWR （ OFF状态）
开关
特征
3
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IIP3 ）
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2.背面露出焊盘必须被连接到RF接地，以获得
指定的隔离。
3 ns的测量3.视频馈通脉冲的上升时间。
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规格如有变更，恕不另行通知。 2 / 00A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
