PHEMT的砷化镓集成电路高线性3 V
控制SPDT开关0.1-2.5 GHz的
AS193-73
特点
s
+2.5到+ 5V线性操作
s
谐波ħ
2
, H
3
> 65 dBc的@
P
IN
= 34.5 dBm的
s
低插入损耗（0.35 dB的0.9千兆赫）
s
高隔离度（24 dB的0.9千兆赫）
s
超小型SOT -6封装
s
pHEMT工艺
0.006
(0.15 mm)
0.000
(0.00 mm)
0.057 (1.45 mm)
0.035 (0.90 mm)
5.0˚ ± 1˚
SOT-6
0.074
（ 1.90毫米REF ）。
引脚6
销1
指标
销1
0.020 (0.51 mm)
0.014 (0.350 mm)
0.126 (3.20 mm)
0.087 (2.20 mm)
0.071 (1.80 mm)
0.052 (1.30 mm)
0.037 （0.95 MM） REF 。
0.012
(0.30 mm)
典型值。
0.014
(0.26 mm)
0.004
(0.10 mm)
5.0˚ ± 1˚
描述
该AS193-73是砷化镓PHEMT场效应管IC高线性度
SPDT开关采用SOT- 6塑料包装。该开关有
被设计为使用，其中非常高线性，低
控制电压，高隔离度，低插入损耗和超
微型封装尺寸是必需的。它可以控制
具有正，负或两个电压的组合。
一些标准的实现包括天线
切换时， T / R和多样性切换3 W的
0.122 (3.10 mm)
0.106 (2.70 mm)
0.022 (0.61 mm)
0.004 (0.10 mm)
AS193-73开关可以在很多模拟和数字被用于
无线通信系统，包括蜂窝， GSM
和UMTS应用。
电气规格在25 ° C（ 0 ， + 3V ）
参数
1
插入损耗
2
频率
0.1–0.5
0.5–1.0
1.0–2.0
2.0–2.5
0.1–0.5
0.5–1.0
1.0–2.0
2.0–2.5
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
28
22
17
15
分钟。
典型值。
0.30
0.35
0.45
0.55
30
24
19
17
1.2:1
1.3:1
马克斯。
0.4
0.5
0.6
0.7
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
3
0.1-1.0 GHz的
1.0-2.5 GHz的
工作特性，在25 ° C（ 0 ， + 3V ）
参数
开关特性
4
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0/+3 V
P
IN
= 34.5 dBm的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+37
+65
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
dBc的
输入功率为-0.1分贝压缩
谐波ħ
2
, H
3
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= + 2.5V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
3.插入损耗状态。
与1 ns的测量4.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
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1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
