初步
砷化镓集成电路高隔离度SPDT非反射
开关与驱动器DC- 6.0 GHz的
AS196-307
特点
I
正电压控制（ 0 / + 3为0 / + 5 V ）
I
高隔离度（55 dB的0.9 GHz的
和1.9千兆赫）
I
LPCC 4 ×4毫米包装
I
集成硅CMOS驱动器
I
不反光
0.157 (4.00 mm)
± 0.008 (0.20 mm)
平方米。
LPCC 4 ×4 （ -307 ）
顶视图
销1
指标
0.10
-A-
底部视图
0.013 (0.325 mm)
REF 。
0.110
(2.79 mm)
± 0.002
(0.05 mm)
0.076 (1.95 mm)
BSC
销1
0.026
(0.65 mm)
BSC
-B-
描述
该AS196-307是GaAs FET的集成电路的SPDT非反射
Switch的16引脚无引线裸露焊盘塑封
封装低成本，高隔离度的商业
应用程序。理想的基石基站
应用合成器隔离是重要的。典型
应用包括GSM， PCS ，WCDMA， 2.4和
5.8 GHz的ISM和无线本地环路。
0.076 (1.95 mm)
BSC
0.110 (2.79 mm)
± 0.002 (0.05 mm)
0.033 (0.85 mm)
± 0.004 (0.10 mm)
0.016
(0.40 mm)
REF 。
0.015 （ 0.387毫米） REF 。
电气规格（ 0 ，+ 5 V） 25℃
参数
1
插入损耗
频率
DC–2.0
DC–3.0
DC–4.0
DC–6.0
DC–2.0
DC–3.0
DC–4.0
DC–6.0
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
50
43
35
25
分钟。
典型值。
0.9
1.0
1.2
2.0
55
50
40
30
1.3:1
1.3:1
1.35:1
1.5:1
1.6:1
1.7:1
马克斯。
1.15
1.25
1.4
2.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
2
VSWR （ON状态）
VSWR （ OFF状态）
DC- 2.0 GHz的
DC- 6.0 GHz的
0.5-6.0 GHz的
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关
特征
3
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0/+3 V
0/+5 V
对于双音输入功率8 dBm的
0/+3 V
0/+5 V
V
CTL
= “0”
V
CTL
= “1” V
CC
= 5 V @ 200 μA（最大值） 。
0.9-6.0 GHz的
0.9-6.0 GHz的
0.9-6.0 GHz的
0.9-6.0 GHz的
0.0
3.5
频率
分钟。
典型值。
30
50
25
21
27
38
46
0.5
5.0
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2.背面露出焊盘必须被连接到RF接地，以获得
指定的隔离。
测量3纳秒3.视频馈通脉冲的上升时间。
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传真
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规格如有变更，恕不另行通知。 11 / 00A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
