初步
PHEMT的砷化镓集成电路高功率
SP3T开关的DC- 2GHz的
AS202-321
特点
■
正低压控制
（ 0 / 2.75 V操作）
■
低插入损耗（ < 0.6分贝@ 2千兆赫）
■
高隔离度（30分贝1和2吉赫）
■
优良的谐波性能
（ 65 dBc的@ 2.75 V 1 GHz的P
IN
= 34 dBm的）
■
微型MLP- 12塑料包装
■
pHEMT工艺
裸露
PAD
MLP-12
0.118 (3.00 mm)
销1
指标
0.118
(3.00 mm)
0.008 (0.20 mm)
飞机座位
0.001
(0.02 mm)
0.030
(0.75 mm)
± 0.002
(0.05 mm)
销1
指标
0.029
(0.73 mm)
描述
该AS202-321是PHEMT的砷化镓集成电路SP3T天线
开关在900 MHz和1800 MHz工作
频带。所述天线之间的切换
T
X
/R
X
港口完成3个控制输入。当
所述控制输入被驱动以适当的电压，
低插入损耗的路径从天线提供
端口的R
X
或T
X
端口，而另一端口具有
高衰减。
0.009 (0.23 mm)
+ 0.003 (0.07 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
0.0196
（ 0.50毫米） BSC
0.057 （1.45 MM） SQ 。
+ 0.004 (0.10 mm)
- 0.006 (0.15 mm)
电气规格在25 ° C（ 0 ， 2.75 V）
参数
插入损耗
ANT- RF1 ， RF2 ， RF3
频率
0.1-0.5 GHz的
0.5-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
0.1-0.5 GHz的
0.5-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
0.1-0.5 GHz的
0.5-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
25
22
22
分钟。
典型值。
0.55
0.60
0.80
28
25
25
18
18
14
马克斯。
0.75
0.80
1.10
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
ANT- RF1 ， RF2 ， RF3
回波损耗
ANT- RF1 ， RF2 ， RF3
工作特性，在25 ° C（ 0 ， 2.75 V）
参数
二阶谐波
第三谐波
二阶谐波
第三谐波
栅极漏电流
控制电压
条件
34 dBm的在@ 2.75 V
34 dBm的在@ 2.75 V
32 dBm的在@ 2.75 V
32 dBm的在@ 2.75 V
34 dBm的在@ 2.75 V
V
高
V
低
-0.25
2.60
0
2.75
频率
1 GHz的
1 GHz的
2 GHz的
2 GHz的
分钟。
典型值。
72
65
70
65
0.030
0.25
5.00
马克斯。
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
mA
V
V
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
•
传真
[978] 241-7906
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规格如有变更，恕不另行通知。 8 / 01A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
