砷化镓50分贝IC电压变
双控制衰减器DC- 3 GHz的
AT002N5-01 ， AT002N5-10
特点
I
双控制电压
I
低插入损耗
I
7铅密封包装
I
能够满足MIL -STD的
需求
5
-01
0.220 (5.59 mm)
0.210 (5.33 mm)
0.063 （1.60 MM） TYP 。
0.130 （3.30 MM） TYP 。
0.130 （3.30 MM） TYP 。
0.268
(6.81 mm)
0.252
(6.40 mm)
0.45 （1.14 MM） TYP 。
0.160
(4.06 mm)
0.120
(3.05 mm)
0.031
(0.79 mm)
马克斯。
0.013 (0.33 mm)
0.007 (0.18 mm)
0.007 (0.18 mm)
0.003 (0.08 mm)
0.065
(1.65 mm)
马克斯。
描述
该AT002N5-01是GaAs FET的IC吸收衰减。
它从提供高达50分贝可变衰减
无反射条件下的DC- 3GHz的。这
衰减器被推荐用于快速响应的AGC电路
用于商业和高可靠性的应用。该
AT002N5-10是该装置的鸥翅版本
表面贴装应用。
电气规格在25℃
参数
1
插入损耗
2
频率
4
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
50
48
45
分钟。
典型值。
1.2
1.4
1.7
55
52
48
1.2:1
1.4:1
1.6:1
1.3:1
1.5:1
1.8:1
马克斯。
1.4
1.8
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
衰减范围
VSWR （ I / O）
工作特性在25℃
参数
开关特性
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
3
对于所有的衰减水平
V
低
= 0〜 -0.2 V @ 20
µA
马克斯。
V
高
= -5 V @ 100
µA
马克斯。
0.5-3 GHz的
0.05 GHz的
频率
分钟。
典型值。
10
15
20
0
-3
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
与1 ns的测量3.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
4， DC = 300千赫。
5.看看质量/可靠性节。
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1
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