18-40 GHz的砷化镓MMIC
可变电压衰减器
AV850M2-00
特点
s
双电压控制
s
35分贝衰减范围
s
三重门0.25
µm
MESFET设计
s
+10 dBm的P
1分贝
所有衰减状态
s
100 ％晶圆RF和DC测试
s
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
MT 2010
0.314
1.050
0.911
芯片大纲
0.982
描述
阿尔法的AV850M2-00 MMIC可变电压衰减器
是包括三栅标准的TEE配置
0.25
µm
功率MESFET的。衰减器具有典型的
3 dB的插入损耗在18-40 GHz频段。该
衰减范围是35分贝，而典型的I / P和O / P回报
损失比6分贝更好。该芯片采用Alpha的探明0.25
µm
MESFET技术和基于分子束外延层
与电子束光刻的最高均匀性
和可重复性。该MMIC产品采用表面钝化
以保证一个坚固的，可靠的具有贯通基板部
通孔和黄金为基础的背面金属化
促进导电环氧树脂芯片粘接工艺。该芯片
包含三栅极场效应晶体管，从而减少了
随温度变化的衰减以及更好
动力操控性能在所有衰减状态。所有
芯片筛选插入损耗，充分衰减和
在18-40 GHz频段用于I / P和O / P赛
性能保证。
0.097
0.000
0.000
0.750
1.500
尺寸以毫米。
所有的直流电压（V ）垫是0.1 ×0.1毫米， RF输入，输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
绝对最大额定值
特征
工作温度（T
C
)
存储温度（T
ST
)
控制电压（V
C
)
在功率（P
IN
)
结温（T
J
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
-7 V
DC
30 dBm的
175°C
电气规格在25℃
参数
最大衰减
最小衰减
输入/输出回波损耗
最大衰减
最小衰减
输入/输出回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（所有衰减水平）
1
热阻
1.未测量了100％的基础上。
条件
V
C
= -1 V, V
C2
= -0.25 V
F = 18-35 GHz的
V
C
= -1 V, V
C2
= -3.25 V
F = 18-35 GHz的
F = 18-35 GHz的
V
C
= 0 V, V
C2
= -0.8 V
F = 35-40 GHz的
V
C
= 0 V, V
C2
= -3.25 V
F = 35-40 GHz的
F = 35-40 GHz的
符号
ISO
I
L
RL
ISO
I
L
RL
P
1分贝
Θ
JC
分钟。
20
典型值。
2
30
2
-10
马克斯。
单位
dB
3
-6
dB
dB
dB
20
35
3
-10
10
101
4
-5
dB
dB
DBM
° C / W
2.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
•
传真
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电子邮件
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•
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规格如有变更，恕不另行通知。 9 / 00A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
