硅超突变变容二极管芯片
SMV2019到SMV2023
特点
I
高Q值低损耗谐振器
I
低漏电流
I
高调谐比为宽带压控振荡器
I
SPICE模型参数
I
小尺寸芯片设计
描述
硅超突变的Alpha Industries的产品线
结变容二极管芯片都采用处理
既定的离子注入技术产生低
R
S
宽调谐比设备具有高Q值。这些
平面芯片具有小外形尺寸（ 12× 12密耳
标称值） ，并完全钝化导致低
漏电流和高可靠性。这些变容二极管芯片
在混合集成电路被用于装配
在压控振荡器和模拟调谐滤波器用于谐振器。
电气规格在25℃
产品型号
SMV2019-000
SMV2020-000
SMV2021-000
SMV2022-000
SMV2023-000
C
J
@ 0 V
（PF ）
1
典型值。
2.3
3.1
4.5
7.1
10.8
分钟。
0.68
1.13
1.58
2.48
4.28
C
J
@ 4 V
（PF ）
马克斯。
0.88
1.43
1.98
3.08
5.28
C
J
@ 20 V
（PF ）
分钟。
0.13
0.23
0.32
0.48
0.78
马克斯。
0.23
0.33
0.44
0.68
1.08
Q @ 4V
50兆赫
2
分钟。
500
500
500
400
400
1 GHz的
Ω
R
S
@ 4 V (Ω)
典型值。
4.8
4.1
2.8
2.2
1.4
I
R
@17.6 V
联系
3
（ nA的）
直径。 （密耳）
4
马克斯。
50
50
50
50
50
喃。
2.00
2.50
3.00
3.75
5.00
在1 MHz的规定1，所有的电容值。
2. 50 MHz的Q从1 GHz的R计算的，
S
和1 MHz ç
J
.
3. V
B
在10
µA
在22 V最小指定。
4.外形图纸149-801 。
外形绘图
149-801
阳极金属化GOLD DOT
0.002 （ 0.051毫米） DIA 。 MIN 。
0.010 （ 0.254毫米） MIN 。
0.014 （ 0.356毫米） MAX 。 SQ 。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
在25 ° C功耗（P
D
)
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
硅
价值
22 V
百毫安
250毫瓦
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C到+ 200℃
0.004 （0.127 mm）最小。
0.006 （ 0.152毫米） MAX 。
阴极金属化BACK
联系方式 - 金
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
•
传真
[617] 824-4579
•
电子邮件
sales@alphaind.com
•
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 8 / 01A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
