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AS6VA25616-BI 参数 Datasheet PDF下载

AS6VA25616-BI图片预览
型号: AS6VA25616-BI
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内容描述: 2.7V至3.3V 256K ×16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能 [2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 175 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS6VA25616
®
48-ball FBGA
Bottom View
6
5
4
3
2
1
Ball #A1
Top View
Ball #A1 Index
A
B
C
D
E
F
G
H
Elastomer
A
B1
B
A
C1
SRAM Die
C
Side View
Detail View
A
E2
E
D
E2
E
Die
E1
Die
0.3/Typ
Y
Minimum
A
B
B1
C
C1
D
E
E1
E2
Y
6.90
10.90
0.30
0.22
Typical
0.75
7.00
3.75
11
5.25
0.35
0.68
0.25
Maximum
7.10
11.10
0.40
1.20
0.27
0.08
Notes
1. Bump counts: 48 (8 row × 6 column).
2. Pitch: (x,y) = 0.75 mm × 0.75 mm (typ).
3. Units: millimeters.
4. All tolerance are ±0.050 unless otherwise specified.
5. Typ: typical.
6. Y is coplanarity: 0.08 (max).
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
10/6/00