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AS7C31025B-15JC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31025B-15JC图片预览
型号: AS7C31025B-15JC
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内容描述: 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM (中心电源和地) [3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 99 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C31025B  
®
Write cycle (over the operating range)11  
-10  
-12  
-15  
-20  
Parameter  
Write cycle time  
Symbol Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Notes  
t
t
t
10  
8
8
0
7
0
0
5
0
1
5
12  
9
9
0
8
0
0
6
0
1
6
15  
10  
10  
0
7
20  
12  
12  
0
8
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
CW  
AW  
Chip enable (CE) to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
t
AS  
WP  
WR  
Write pulse width  
t
9
12  
0
Write recovery time  
t
0
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
Data hold time  
t
0
0
AH  
t
8
10  
0
DW  
t
0
4, 5  
4, 5  
4, 5  
DH  
WZ  
OW  
Write enable to output in high Z  
Output active from write end  
t
t
1
1
Write waveform 1 (WE controlled)10,11  
t
WC  
t
t
WR  
t
AW  
AH  
Address  
WE  
t
WP  
t
AS  
t
t
DW  
DH  
D
Data valid  
IN  
t
t
WZ  
OW  
D
OUT  
Write waveform 2 (CE controlled)10,11  
t
WC  
t
t
AH  
AW  
t
WR  
Address  
t
t
CW  
AS  
CE  
t
WP  
WE  
t
t
t
DH  
WZ  
DW  
D
Data valid  
IN  
D
OUT  
3/24/04, v. 1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 9