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AS29F040-90LC 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-90LC图片预览
型号: AS29F040-90LC
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
®
$65<)373
89#845.ð;#&026#)ODVK#((3520
) HDWXUHV
•组织: 512K字×8位
•工业和商业温度
•部门架构
- 八个64K字节的扇区
- 擦除扇区或整片的任意组合
•读/写操作单5.0 ± 0.5V电源
•扇区保护
•高速55/70/90/120/150 ns的地址,访问时间
•自动芯片编程算法
- 自动程序/在指定的验证数据
地址
•自动芯片擦除算法
- 自动preprograms /擦除芯片或指定
扇区
•万写/擦除周期耐力
•低功耗
- 30毫安最大读取电流
- 60 mA(最大值)编程电流
- 400 μA的典型待机电流
• JEDEC标准的软件,封装与引脚
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
•检测程序/擦除周期结束
- DQ7数据查询
- DQ6触发位
•擦除暂停/恢复
- 支持读取数据或者编程数据
一个部门不被擦除
•低V
CC
写锁定低于2.8V
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
/ RJLF #䂑# GLDJUDP
V
CC
V
SS
部门保护
开关
擦除电压
发电机
编程/擦除
控制
命令
注册
CE
OE
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
DQ0–DQ7
3LQ#DUUDQJHPHQW
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
输入/输出
缓冲器
AS29F040
WE
32引脚PLCC
A12
A15
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
V
SS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
3
2
A16
A18
1
V
CC
WE
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
A17
32针TSOP
ÿ门控
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
机顶盒
Y译码
AS29F040
X解码器
细胞MATR
A0
DQ0
A0–A18
6HOHFWLRQ#JXLGH
AS29F040-55
最大访问时间
最大的芯片使能访问时间
最大输出使能访问时间
t
AA
55
t
CE
55
t
OE
25
AS29F040-70
70
70
30
AS29F040-90
90
90
35
AS29F040-120 AS29F040-150单位
120
120
50
150
150
55
ns
ns
ns
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$//,$1&(#6(0,&21'8&725
4
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