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AS29LV400T-70TI 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV400T-70TI图片预览
型号: AS29LV400T-70TI
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内容描述: 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM [3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 254 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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$6/9
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描述
开始读或写读/复位命令序列进入命令重置操作
注册。这使得微处理器可以从存储器中检索数据。器件将保持在读
模式,直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动加电时读取/复位状态。此功能只允许读取,因此,
确保上电时不会有虚假的记忆内容的改变。
AS29LV400提供了制造商和设备代码两种方式。外部PROM编程器
通常,通过对驾驶A9 + 10V访问设备代码。 AS29LV400还包含一个ID读
命令来读取,只有+ 3V器件代码,因为多路+ 10V上的地址线是
一般不可取的。
ID读
开始写的ID读命令序列到命令寄存器中读取设备ID。
按照从地址XXX00h读序列返回MFR码。按照ID读命令
顺序从地址XXX01h读出时序返回设备代码。
为了验证写保护状态的行业,读地址XXX02h 。扇区地址A17 -A12产品
1 DQ0上受保护的部门和0的未受保护的部门。
从ID退出阅读模式与读/复位命令序列。
控股
RE性S E牛逼
低的500 ns的复位装置,终止正在进行的任何操作;数据
在操作处理被损坏。内部状态机后重置为20μs
RE性S E牛逼
驱动
低。 RY /
BY
保持低电平,直到内部状态机的复位。后
- [R (E S) ET
被设置为高,有一个延迟
的50纳秒的设备,以允许读操作。
编程AS29LV400是在逐字节或字处理进行4总线周期操作
由字的基础。两个解锁写周期之前的程序设置命令和程序数据
写周期。在执行该程序指令时,没有额外的CPU控制或定时是
有必要的。地址被锁存的下降沿
权证
or
WE
,取其最后;数据被锁存
上的上升沿
CE
or
WE
,以先到为准。该AS29LV400的自动片上程序
算法提供了足够的内部产生的编程脉冲和验证
程序性细胞保证金。
检查程序的状态通过对RY采样数据/
BY
针,或任一
数据
轮询( DQ7 )
或者在程序的地址位置触发位( DQ6 ) 。在编程操作完成后,如果
DQ7返回等效的数据,如果DQ6 =无切换,或者如果RY /
BY
引脚=高。
该AS29LV400忽略编程时写入的命令。发生硬件复位
在编程过程中可能会损坏数据以编程的位置。
AS29LV400允许程序在任何序列,在任何领域的边界。更改数据
0到1需要进行擦除操作。尝试编程数据0 〜1的结果要么DQ5 = 1
(超过编程时间限制) ;读/复位操作后,读这些数据返回0 。
编程时超出时间限制, DQ5读取高, DQ6继续切换。在这
状态,复位命令返回的设备来读取模式。
重置/读取
硬件复位
字节/字
程序设计
9/26/01; V.0.9.9.2
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
第26 8