AS4C1M16E5-60JC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS4C1M16E5-60JC
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内容描述：	5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ） [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	22 页 / 601 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

AS4C1M16E5

DC电气特性

-45

参数

输入leakag

权证

光凭目前

输出漏

当前

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

平均供电

目前， RAS刷新

模式或CBR

EDO页模式

平均供电

当前

CMOS备用电源

电源电流

输出电压

CAS前RAS

刷新当前

符号测试条件

CC1

CC2

CC3

≤

（最大）

被测= 0V引脚不

OUT

残疾人， 0V

≤

OUT

≤

（最大）

RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;

=分钟

RAS = = UCAS LCAS

≥

所有其他输入在V

或V

RAS骑自行车， UCAS = LCAS

≥

= RAS的分低后XCAS

低。

RAS = V

， UCAS或LCAS ，

针对循环：吨

HPC

=分钟

RAS = UCAS LCAS = = V

- 0.2V,

F=0

OUT

= -5.0毫安

OUT

= 4.2毫安

RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T

民

-5

–

最大

155

2.0

-50

民

-5

–

最大

145

2.0

-60

民

-5

–

最大值单位注

135

2.0

4,5

–

145

–

135

–

125

CC4

CC5

CC6

–

130

–

120

–

110

4, 5

–

2.4

–

1.0

–

0.4

155

–

2.4

–

1.0

–

0.4

145

–

2.4

–

1.0

–

0.4

135

4/11/01; v.1.0

半导体联盟

22第4页

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