AS4C1M16E5
®
5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
•组织： 1,048,576字× 16位
•高速
- 45/50/60 ns的RAS访问时间
- 20/20/25纳秒超页面周期时间
- 15年10月12日NS CAS访问时间
• 1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
- RAS -唯一或CAS先于RAS的刷新读 - 修改 - 写
• TTL兼容，三态DQ
• JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
•低功耗
- 活动： 740毫瓦最大（ AS4C1M16E5-60 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS DQ
• 5V电源（ AS4C1M16E5 ）
• 3V电源（ AS4LC1M16E5 ）
•工业和商业温度可
•扩展数据输出
管脚配置
SOJ
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
引脚名称
TSOP II
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
PIN码（ S）
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
V
CC
V
SS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
-45
45
23
10
12
75
20
155
1.0
-50
50
25
12
13
80
20
145
1.0
-60
60
30
15
15
100
25
135
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
22 P. 1
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
