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    AS4C256K16F0-35JI 参数 Datasheet PDF下载

    AS4C256K16F0-35JI图片预览
    型号： AS4C256K16F0-35JI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式） [5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 25 页 / 540 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4C256K16F0-35JI的Datasheet PDF文件第9页  
    AS4C256K16FO
    ®
    写周期
    标准
    符号
    t
    ASC
    t
    CAH
    t
    AWR
    t
    WCS
    t
    WCH
    t
    WCR
    t
    WP
    t
    RWL
    t
    CWL
    t
    DS
    t
    DH
    t
    DHR
    –25
    参数
    列地址设置时间
    列地址保持时间
    列地址保持时间RAS
    写命令设置时间
    写命令保持时间
    写命令保持时间RAS
    WRITE命令的脉冲宽度
    写命令到RAS交货期
    写命令到CAS交货期
    数据的建立时间
    数据保持时间
    数据保持时间为RAS
    民
    0
    5
    19
    0
    5
    19
    5
    7
    5
    0
    5
    19
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
    a
    = 0 ° C至+ 70 ° C）
    –30
    民
    0
    5
    26
    0
    5
    26
    5
    10
    10
    0
    5
    26
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    0
    5
    28
    0
    5
    28
    5
    11
    11
    0
    5
    28
    –35
    民
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    0
    9
    30
    0
    9
    30
    9
    12
    12
    0
    9
    30
    –50
    民
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    12
    12
    11
    11
    笔记
    读 - 修改 - 写周期
    标准
    符号
    t
    RWC
    t
    RWD
    t
    CWD
    t
    AWD
    –25
    参数
    读 - 写周期时间
    RAS以拖延时间
    CAS以拖延时间
    列地址来拖延时间
    民
    100
    34
    17
    21
    7
    15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
    a
    = 0 ° C至+ 70 ° C）
    –30
    民
    100
    50
    26
    32
    10
    15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –35
    民
    105
    54
    28
    35
    10
    15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –50
    民
    120
    60
    30
    40
    12
    15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    11
    11
    11
    笔记
    t
    RSH （W）的
    CAS到RAS保持时间（写）
    t
    CAS （ W）
    CAS脉冲宽度（写）
    快速页模式周期
    标准
    符号
    t
    PC
    t
    帽
    t
    CP
    t
    PCM
    t
    CRW
    t
    RASP
    –25
    参数
    读或写周期时间
    从CAS预充电时间访问
    CAS预充电时间
    快速页模式，RMW周期
    页模式CAS脉冲宽度（ RMW ）
    RAS脉冲宽度
    民
    8
    –
    3
    56
    44
    25
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
    a
    = 0 ° C至+ 70 ° C）
    –30
    民
    12
    –
    3
    56
    44
    30
    最大
    –
    19
    –
    –
    –
    75K
    –
    14
    –
    –
    –
    75K
    14
    –
    4
    58
    46
    35
    –35
    民
    最大
    –
    21
    –
    –
    –
    75K
    25
    –
    5
    60
    50
    50
    –50
    民
    最大
    –
    23
    –
    –
    –
    75K
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    14
    13
    最大
    4/11/01; V.0.9.1
    半导体联盟
    25第5页

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