AS4C256K16E0
®
5V 256K × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
•组织： 262,144字× 16位
•高速
- 30/35/50 ns的RAS访问时间
- 16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
•低功耗
- 活动： 500毫瓦最大（ AS4C256K16E0-25 ）
- 待机： 3.6毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4C256K16E0-25 ）
• EDO页面模式
•刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选项可用于新的发电装置
只。联系联盟的更多信息。
•读 - 修改 - 写
• TTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
• 5V电源
•闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
引脚名称
TSOP II
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 5V
±
0.5V)
地
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
AS4C256K16E0
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
AS4C256K16E0
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
WE
V
CC
GND
选购指南
符号
最大
RAS
存取时间
最大列地址访问时间
最大
CAS
存取时间
最大输出使能（
OE
）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
AS4C256K16E0-30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
AS4C256K16E0-35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
AS4C256K16E0-50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
4/11/01; v.1.1
半导体联盟
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