AS4C256K16FO
®
5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式）
特点
•组织： 262,144字× 16位
•高速
- 25/30/35/50 ns的RAS访问时间
- 12/16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
•低功耗
- 活动： 770毫瓦最大（ ASAS4C256K16FO - 50 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
•快速页模式
• AS4C256K16FO -50计时
也适用于
AS4C256K16FO-60.
•刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选件可用于新一代
唯一设备。联系联盟的更多信息。
•读 - 修改 - 写
• TTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
•单5V电源供电/内置V
bb
发电机
•闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
TSOP II
44
1
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
ASC256K16FO
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ + 5V
±
10%)
地
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址
存取时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（OE ）
存取时间
最小的读或写周期
时间
最低EDO页面模式
周期
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
4/11/01; V.0.9.1
ASC256K16FO
–25
25
12
7
7
40
12
200
2.0
–30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
–35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
–50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
半导体联盟
25 P. 1
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
