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    AS4C4M4F0-50TC 参数 Datasheet PDF下载

    AS4C4M4F0-50TC图片预览
    型号： AS4C4M4F0-50TC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V 4M × 4 CMOS DRAM（快页模式） [5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 18 页 / 271 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS4C4M4F0-50TC的Datasheet PDF文件第11页  
    AS4C4M4F0
    AS4C4M4F1
    ®
    快速页模式周期
    -50
    符号
    t
    注册会计师
    t
    RASP
    t
    PC
    t
    CP
    t
    PCM
    t
    CRW
    参数
    访问时间从
    CAS
    预充电
    RAS
    脉冲宽度
    -60
    最大
    28
    100K
    –
    –
    –
    –
    民
    –
    60
    35
    10
    85
    15
    最大
    35
    100K
    –
    –
    –
    –
    单位
    笔记
    13
    民
    –
    50
    30
    10
    80
    12
    读 - 写周期时间
    CAS
    预充电时间（快速页面）
    快速页模式，RMW周期
    页模式
    CAS
    脉冲宽度（RMW）
    OUTPUT ENABLE
    -50
    符号
    t
    CLZ
    t
    ROH
    t
    OEA
    t
    OED
    t
    OEZ
    t
    OEH
    t
    OLZ
    t
    关闭
    参数
    CAS在低Z输出
    RAS保持时间参考OE
    OE访问时间
    OE数据延迟
    输出缓冲器关机延迟从OE
    OE命令保持时间
    OE在低Z输出
    输出缓冲器关断时间
    民
    0
    8
    –
    13
    0
    10
    0
    0
    最大
    –
    –
    13
    –
    13
    –
    –
    13
    民
    0
    10
    –
    15
    0
    10
    0
    0
    -60
    最大
    –
    –
    15
    –
    15
    –
    –
    15
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    8,10
    8
    笔记
    8
    自刷新周期
    性病
    符号
    t
    RASS
    t
    RPS
    t
    CHS
    -50
    参数
    RAS脉冲宽度
    （ CBR自刷新）
    RAS预充电时间
    （ CBR自刷新）
    CAS
    保持时间
    -60
    最大
    –
    –
    –
    民
    100
    105
    10
    最大
    –
    –
    –
    单位
    µs
    ns
    ns
    笔记
    民
    100
    90
    8
    （ CBR自刷新）
    4/11/01; v.0.9
    半导体联盟
    18第7页

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