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AS4C4M4F0-60TI 参数 Datasheet PDF下载

AS4C4M4F0-60TI图片预览
型号: AS4C4M4F0-60TI
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内容描述: 5V 4M × 4 CMOS DRAM(快页模式) [5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 271 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C4M4F0
AS4C4M4F1
®
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压( DQS)
电源电压
存储温度(塑料)
焊接温度·时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
-1.0
-1.0
-1.0
-55
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260 × 10
1
50
单位
V
V
V
°C
o
Ç Þ秒
W
mA
DC电气特性
-50
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前, RAS刷新
模式或CBR
快页模式平均
电源电流
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
CAS前RAS刷新
当前
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
I
CC6
测试条件
0V
V
in
+5.5V,
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人, 0V
V
OUT
+5.5V
RAS , CAS地址骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS CAS =
V
IH
RAS骑自行车, CAS
V
IH
,
t
RC
= RAS后XCAS低低分钟。
RAS = V
IL
中国科学院,
针对循环:吨
HPC
=分钟
RAS CAS = = V
CC
- 0.2V
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS , CAS骑自行车,T
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
0.2V,
WE = OE
V
CC
- 0.2V,
所有其他输入在0.2V或
V
CC
- 0.2V
-5
-5
最大
+5
+5
135
2.0
-5
-5
-60
最大
+5
+5
120
2.0
单位
µA
µA
mA
mA
1,2
笔记
120
110
mA
1
2.4
130
1.0
0.4
120
2.4
120
1.0
0.4
110
mA
mA
V
V
mA
1, 2
自刷新电流
I
CC7
0.6
0.6
mA
4/11/01; v.0.9
半导体联盟
18第4页