AS4LC256K16EO
®
3.3V 256K ×16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
•组织： 262,144字× 16位
•高速
- 45/60 ns的RAS访问时间
- 10/12/15/20 ns的列地址访问时间
- 10年7月10日NS CAS访问时间
•低功耗
• EDO页面模式
?? 5V I / O容错
• 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS -只或CAS先于RAS刷新或自刷新
•读 - 修改 - 写
• LVTTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准封装
- 活动： 280毫瓦最大（ AS4LC256K16EO -35 ）
- 待机： 2.8毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4LC256K16EO-
35)
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
• 3.3V电源
•闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
引脚名称
TSOP II
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
PIN码（ S）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 3.3V
±
0.3V)
地
AS4LC256K16EO
AS4LC256K16EO
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
A3
VCC
A4
GND
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
AS4LC256K16EO-35
35
17
7
7
50
15
70
200
AS4LC256K16EO-45
45
20
10
10
80
17
60
200
AS4LC256K16EO-60
60
25
10
10
100
30
50
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
µA
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 1
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
