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AS4LC256K16EO-60TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC256K16EO-60TC图片预览
型号: AS4LC256K16EO-60TC
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内容描述: 3.3V 256K ×16的CMOS DRAM( EDO ) [3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 526 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC256K16EO
®
笔记
1
2
3
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
和我
CC6
依赖于周期率。
I
CC1
CC4
取决于输出负载。特定网络版值与输出开路获得。
200的初始暂停
µs
要求后跟任何RAS 8次电后设备运行达到之前。在内部的情况下
刷新计数器,至少为8个CAS先于RAS的初始化周期,而不是8的RAS周期是必需的。 8初始化周期后,需要
偏压的长时间不需要时钟(大于8毫秒)。
AC特性假设吨
T
= 5纳秒。所有AC参数测量带负荷相当于两个TTL负载和60 pF的,V
IL
(分钟)
GND和V
IH
(最大)
V
CC
.
V
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)是参考电平,用于测量输入信号的定时。过渡时间V之间测量
IH
和V
IL
.
内的T操作
RCD
(最大值)限制确保了吨
RAC
(MAX),可以得到满足。吨
RCD
(最大)被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于
特定网络编辑吨
RCD
(最大值)限值,则访问时间专门用t控制
CAC
.
内的T操作
拉德
(最大值)限制确保了吨
RAC
(MAX),可以得到满足。吨
拉德
(最大)被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于
特定网络编辑吨
拉德
(最大值)限值,则访问时间专门用t控制
AA
.
假设三态试验载荷( 5 pF和380
戴维南等效) 。
要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
t
关闭
(最大值)限定在其中的输出达到开路状态的时间;它没有被引用到输出电压电平。
t
WCS
, t
WCH
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
不是限制性的操作参数。它们被包括在数据表中作为唯一的电气特性。如果T
WS
t
WS
(MIN)和叔
WH
t
WH
(分钟) ,则该循环是一个早期的写周期和数据输出引脚将保持开路,高阻抗,在整个循环。如果T
RWD
t
RWD
(分钟) ,T
CWD
t
CWD
(MIN)和叔
AWD
t
AWD
(分钟) ,则该循环是一个读 - 写周期,数据列将包含从所选择的单元中读取数据。
如果上述两个条件被满足时,所述数据输出的条件,在存取时间是不确定的。
这些参数被引用到CAS的前缘在早期的写周期和WE前缘在读 - 写周期。
存取时间由最长吨的确定
CAA
或T
CAC
或T
.
t
ASC
t
CP
实现吨
PC
(MIN)和叔
(最大)值。
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
关键开关波形
未定义/无所谓
瑞星输入
下降输入
读周期波形
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RSH
t
RP
RAS
t
CSH
t
CRP
t
ASC
t
RCS
t
CAH
t
CAS
UCAS ,
LCAS
t
拉德
t
ASR
t
RAH
t
AR
t
拉尔
地址
行地址
山坳地址
t
RRH
t
RCH
WE
t
ROH
OE
t
RAC
t
AA
t
OEA
t
CAC
t
CLZ
t
OEZ
t
关闭
I / O
数据输出
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
P. 25 8