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AS4LC1M16S0-10TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC1M16S0-10TC图片预览
型号: AS4LC1M16S0-10TC
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内容描述: 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM [3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 29 页 / 720 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2001年5月
初步
®
3.3V 2M
×
8/1M
×
16 CMOS同步DRAM
特点
•组织
- 1,048,576字×8位× 2组(2M × 8)的
11行, 9列地址
- 524,288字× 16位× 2银行( 1M × 16 )
11行8列地址
AS4LC2M8S1
AS4LC2M8S0
AS4LC1M16S1
AS4LC1M16S0
•所有信号参考时钟的上升沿,充分
同步
•通过A11双控制内部银行(银行选择)
•高速
- 143/125/100兆赫
- 10年7月8日ns的时钟存取时间
•自动刷新和自刷新
• PC100的功能
•自动和直接预充电,包括并发
Autoprecharge
•突发读,写/写单
•在每个周期随机列地址断言,流水线
手术
• LVTTL兼容的I / O
• 3.3V电源
• JEDEC标准封装,引脚排列和功能
- 400万, 44引脚TSOP 2 ( 2M × 8 )
- 400万, 50针TSOP 2 ( 1M × 16 )
•低功耗
- 活动: 576毫瓦最大
- 待机: 7.2毫瓦最大, CMOS I / O
• 2048刷新周期, 32毫秒刷新间隔
• 4096刷新周期, 64毫秒刷新间隔
•读/写数据屏蔽
•可编程突发长度( 1/2/ 4/8 /全页)
•可编程突发顺序(顺序/交错)
•可编程CAS延迟( 1/2/3 )
管脚配置
TSOP 2
V
CC
DQ0
V
SSQ
DQ1
V
CCQ
DQ2
V
SSQ
DQ3
V
CCQ
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DQ7
V
SSQ
DQ6
V
CCQ
DQ5
V
SSQ
DQ4
V
CCQ
NC
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
CCQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
CCQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
TSOP 2
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
CCQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
CCQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码( S)
DQM ( 2M × 8 )
UDQM / LDQM ( 1M × 16 )
A0到A10
A11
DQ0到DQ7 ( 2M
×
8)
DQ0到DQ15 ( 1M
×
16)
RAS
CAS
WE
CS
V
CC
, V
CCQ
V
SS
, V
SSQ
CLK
CKE
描述
输出禁用/写屏蔽
RA0 - 10
地址输入CA0 - 7 ( × 16 )
CA0 - 8 ( × 8 )
银行地址( BA )
输入/输出
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片选择
电源( 3.3V ± 0.3V )
时钟输入
时钟使能
AS4LC2M8S1
AS4LC2M8S0
传说
CON组fi guration
刷新计数
行地址
银行地址
列地址
2M
×
8
1M
×
8
×
2银行
2K/4K
(A0 – A10)
2 ( BA)
512 (A0 – A8)
选购指南
符号
总线频率( CL = 3 )
最大时钟存取时间( CL = 3 )
最小输入建立时间
最小输入保持时间
行周期时间(CL = 3, BL = 1)
最大工作电流( [ × 16] , RD或
WR, CL = 3) ,BL = 2的
最大的CMOS待机电流,自刷新
5/21/01; v.1.1
AS4LC1M16S0
AS4LC1M16S1
1M
×
16
512K
×
16
×
2银行
2K/4K
(A0 – A10)
2 ( BA)
256 (A0 – A7)
–7
143
5.5
2
1.0
70
130
1
–8
125
6
2
1.0
80
100
1
–10
100
6
2
1.0
80
100
1
29 P. 1
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
mA
mA
f
最大
t
AC
t
S
t
H
t
RC
I
CC1
I
CC6
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