AS6VA25616-TC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS6VA25616-TC
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内容描述：	2.7V至3.3V 256K ×16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能 [2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 175 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

2000年10月

AS6VA25616

2.7V至3.3V 256K × 16 Intelliwatt ™低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能

特点

• AS6VA25616

• Intelliwatt ™有源电路

•工业和商业温度范围内工作

•组织： 262,144字× 16位

• 2.7V至3.3V ，在55纳秒

•低功耗：ACTIVE

- 132毫瓦，在3.3V和55纳秒

• 1.2V数据保留

•平等接入和周期时间

•易于扩展内存与CS ， OE输入

•最小尺寸封装

• ESD保护

≥

2000伏

•闩锁电流

≥

200毫安

- 48球FBGA

- 400万44针TSOP II

•低功耗：待机

- 66 μW最大电压为3.3V

逻辑框图

A12

A13

I/O1–I/O8

I/O9–I/O16

行解码器

256K × 16

ARRAY

(4,194,304)

销装置（顶视图）

44引脚400密耳的TSOP II

I/O16

I/O1

I/O15

I/O2

I/O14

I/O3

I/O13

I/O4

I/O5

I/O12

I/O6

I/O11

I/O7

I/O10

I/O8

I/O9

A17

A16

A15

A10

A11

A14

A12

A13

I / O

卜FF器

控制电路

列解码器

A10

A11

A14

A15

A16

A17

48 -CSP球栅阵列封装

I/O9

I/O10

I/O15

I/O16

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

A17

A14

A12

A16

A15

A13

A10

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

A11

I/O1

I/O3

I/O7

I/O8

选购指南

范围

产品

AS6VA25616

民

(V)

2.7

典型值

(V)

3.0

最大

(V)

3.3

速度

（纳秒）

功耗

工作（我

)

马克斯（毫安）

待机（我

SB1

)

MAX （

10/6/00

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