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    AS7C1024B-12JIN 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C1024B-12JIN图片预览
    型号： AS7C1024B-12JIN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V 128K X 8 CMOS SRAM [5V 128K X 8 CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 112 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C1024B-12JIN的Datasheet PDF文件第9页  
    AS7C1024B
    ®
    推荐工作条件
    参数
    电源电压
    输入电压
    工作环境
    温度
    广告
    产业
    符号
    V
    CC
    V
    IH
    V
    IL
    T
    A
    T
    A
    民
    4.5
    2.2
    –0.5
    0
    –40
    公称
    5.0
    -
    –
    –
    –
    最大
    5.5
    V
    CC
    + 0.5
    0.8
    70
    85
    单位
    V
    V
    V
    °C
    °C
    V
    IL
    分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的
    V
    IH
    最大值= V
    CC
    + 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
    直流工作特性（在工作范围内）
    1
    -10
    参数
    输入漏
    当前
    输出漏
    当前
    工作电源
    电源电流
    符号
    |I
    LI
    |
    |I
    LO
    |
    I
    CC
    I
    SB
    待机功耗
    电源电流
    测试条件
    V
    CC
    =最大，V
    IN
    = GND到V
    CC
    V
    CC
    =最大， CE1 = V
    IH
    or
    CE2 = V
    IL
    , V
    OUT
    = GND到V
    CC
    V
    CC
    =最大， CE1
    ≤
    V
    IL
    ,
    CE2
    ≥
    V
    IH
    , f = f
    最大
    ,
    I
    OUT
    = 0毫安
    V
    CC
    =最大， CE1
    ≥
    V
    IH
    和/或
    CE2
    ≤
    V
    IL
    , f = f
    最大
    V
    CC
    =最大， CE1
    ≥
    V
    CC
    –0.2V
    I
    SB1
    V
    OL
    V
    OH
    和/或CE2
    ≤
    0.2V
    V
    IN
    ≤
    0.2V或
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V ， F = 0
    I
    OL
    = 8毫安， V
    CC
    =分钟
    I
    OH
    = -4毫安，V
    CC
    =分钟
    -
    10
    –
    10
    –
    10
    –
    10
    民
    最大
    -12
    民
    最大
    -15
    民
    最大
    -20
    民
    最大
    单位
    µA
    µA
    mA
    -
    -
    -
    -
    1
    1
    110
    50
    –
    –
    –
    –
    1
    1
    100
    45
    –
    –
    –
    –
    1
    1
    90
    45
    –
    –
    –
    –
    1
    1
    80
    40
    mA
    输出电压
    -
    2.4
    0.4
    -
    –
    2.4
    0.4
    –
    –
    2.4
    0.4
    –
    –
    2.4
    0.4
    –
    V
    电容（ F = 1兆赫，T
    a
    = 25
    °C,
    V
    CC
    =标称）
    2
    参数
    输入电容
    I / O容量
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    信号的
    A， CE1 ， CE2 ， WE ， OE
    I / O
    测试条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    IN
    = V
    OUT
    = 0V
    最大
    5
    7
    单位
    pF
    pF
    3/26/04, v 1.2
    半导体联盟
    9 P. 3

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