AS7C1024B-12TIN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS7C1024B-12TIN
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内容描述：	5V 128K X 8 CMOS SRAM [5V 128K X 8 CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	9 页 / 112 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

2004年3月

AS7C1024B

5V 128K X 8 CMOS SRAM

特点

•工业和商业温度

•组织： 131,072字× 8位

•高速

- 10/12/15/20 ns地址访问时间

- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间

•低功耗：ACTIVE

- 605毫瓦/ MAX @ 10纳秒

300万SOJ

400万SOJ

8 X20毫米TSOP 1

8× 13.4毫米sTSOP 1

• ESD保护

≥

2000伏

•闩锁电流

≥

200毫安

•低功耗：待机

- 55毫瓦/ MAX CMOS

• 6T 0.18微米CMOS技术

•易于扩展内存与CE1 ， CE2 ， OE输入

• TTL / LVTTL兼容，三态I / O

• 32引脚JEDEC标准封装

管脚配置

32引脚SOJ （ 300万）

32引脚SOJ （ 400万）

A16

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

A15

CE2

A13

A11

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

逻辑框图

GND

输入缓冲器

I/O7

行解码器

512 x 256 x 8

ARRAY

(1,048,576)

SENSE AMP

32引脚（ 8× 20毫米） TSOP I

32针（8× 13.4毫米） sTSOP1

A11

A13

CE2

A15

A16

A14

A12

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

CE1

CE2

列解码器

控制

电路

选购指南

-10

最大地址访问时间

最大输出使能访问

时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

110

-12

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

-15

AS7C1024B

-20

单位

100

3/26/04, v 1.2

半导体联盟

9 P. 1

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