AS7C1024B-20TJI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS7C1024B-20TJI
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内容描述：	5V 128K X 8 CMOS SRAM [5V 128K X 8 CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	9 页 / 112 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

AS7C1024B

写波形2 （ CE1和CE2控制）

10,11,12

地址

CE1

CE2

OUT

数据有效

CW1

, t

CW2

AC测试条件

–

输出负载：见图B.

输入脉冲电平： GND到3.5V 。如图A所示。

输入上升和下降时间： 2纳秒。如图A所示。

输入和输出的定时参考水平： 1.5V 。

+5V

480Ω

戴维南等效：

168Ω

OUT

+1.728V

+3.5V

GND

90%

10%

2纳秒

90%

10%

OUT

255Ω

图A ：输入脉冲

GND

图B ： 5V输出负载

笔记

在V

电时，一个上拉电阻到V

在CE1是为了满足我

特定连接的阳离子。

这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

对于测试环境，请见

AC测试条件，

图A和B.

CLZ

和T

CHZ

指定与CL = 5pF的，如在图C.过渡是从稳态电压测量± 500毫伏。

此参数是保证，但不是100 ％测试。

WE为高的读周期。

CE1和OE低， CE2为高的读周期。

地址有效之前或与重合CE1过渡低。

所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。

不适用

所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。

CE1和CE2具有相同的定时。

C = 30 pF的，除非所有高Z和低Z参数，其中C = 5 pF的。

3/26/04, v 1.2

半导体联盟

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