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AS7C1024-12TC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS7C1024-12TC
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内容描述: 5V / 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM (进化引脚) [5V/3.3V 128K x 8 CMOS SRAM (Evolutionary Pinout)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 199 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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®
AS7C1024
AS7C31024
写周期(在整个工作范围内)
-10
参数
写周期时间
芯片使能( CE1 )写结束
芯片使能( CE2 )写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
阴影区域包含预览。
-12
12
10
10
10
0
8
0
6
0
3
最大
5
5
15
12
12
12
0
9
0
9
0
3
-15
最大
5
20
12
12
12
0
12
0
10
0
3
-20
最大
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
12
12
12
笔记
符号
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
10
9
9
9
0
7
0
6
0
3
最大
写波形1 (我们控制)
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WC
t
AH
写波形2 ( CE1和CE2控制)
t
AW
地址
t
AS
CE1
CE2
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW1
, t
CW2
t
WC
t
AH
11/29/00
半导体联盟
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