AS7C1024
AS7C31024
®
功能说明
该AS7C1024和AS7C31024是高性能CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为131072字×8位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，简单
接口是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5/6/8/10 NS
非常适合高性能应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）能方便地存储与扩展
多银行系统。
当CE1是高还是CE2低的设备进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。
如果总线是静态的，则满待机功率达到（我
SB1
还是我
SB2
） 。例如， AS7C31024保证不会超过
标称满待机状态下0.33mW 。该系列的所有器件将保留数据时， VCC下降低至2.0V 。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的数据I / O0-
的I / O7被写入在WE的上升沿（写周期1）和CE1或CE2的活性 - 无效边缘（写周期2）。为了避免
总线竞争，外部设备应该驱动I / O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）或写
使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE）高。
芯片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效时，输出
使处于非活动状态，或写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
AS7C1024
AS7C31024
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
-0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本specificati上的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（
ICC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
2
半导体联盟
11/29/00
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
