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AS7C1025B-12TJCN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS7C1025B-12TJCN
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内容描述: 5V 128K X 8 CMOS SRAM (中心电源和地) [5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 104 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2004年3月
®
AS7C1025B
5V 128K X 8 CMOS SRAM (中心电源和地)
特点
•工业和商业温度
•组织: 131072 ×8位
•高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间
•低功耗:ACTIVE
- 605mW / MAX @ 10纳秒
•低功耗:待机
- 55毫瓦/ MAX CMOS
• 6吨0.18 ü CMOS技术
•易于扩展内存通过CE , OE输入
•中心电源和接地
• TTL / LVTTL兼容,三态I / O
• JEDEC标准封装
- 32引脚, 300万SOJ
- 32引脚, 400万SOJ
• ESD保护
2000伏
•闩锁电流
200毫安
管脚配置
逻辑框图
32引脚SOJ ( 300万)
32引脚SOJ ( 400万)
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O7
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
行解码器
512 x 256 x 8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
I/O0
WE
OE
CE
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
选购指南
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
5
110
10
-12
12
6
100
10
-15
15
7
90
10
-20
20
8
80
10
单位
ns
ns
mA
mA
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
AS7C1025B
9 P. 1
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