AS7C1026A
AS7C31026A
®
数据保持特性（在整个工作范围内）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
输入漏电流
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
|I
LI
|
V
CC
= 2.0V
CE
≥
V
CC
–0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或
V
IN
≤
0.2V
测试条件
民
2.0
–
0
t
RC
–
最大
–
1
–
–
1
单位
V
ma
ns
ns
µA
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
IH
V
DR
≥
2.0V
V
CC
t
R
AC测试条件
–
–
–
–
输出负载：见图B或C.图
输入脉冲电平： GND到3.0V 。如图A所示。
输入上升和下降时间： 2纳秒。如图A所示。
输入和输出的定时参考水平： 1.5V 。
+3.0V
GND
D
OUT
90%
10%
2纳秒
90%
10%
255W
C(14)
戴维南等效：
168W
D
OUT
+ 1.728V （ 5V和3.3V ）
+5V
480W
D
OUT
255W
C(14)
+3.3V
320W
图A ：输入脉冲
GND
图B ： 5V输出负载
GND
图C ： 3.3V输出负载
笔记
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在V
CC
电时，一个上拉电阻到V
CC
在CE上是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
对于测试环境，请见
AC测试条件，
图A ，B和C.
这些参数与C温度范围
L
= 5pF的，如在图B或C的过渡是从稳态电压测量± 500毫伏。
此参数是保证，但未经测试。
WE为高的读周期。
CE和OE是低电平的读周期。
地址有效之前或与CE过渡低相一致。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CE或我们必须在高地址转换。 CE或WE断言高结束写周期。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
不适用。
C = 30pF的，除非所有高Z和低Z参数，其中C = 5pF的。
2/6/01
半导体联盟
9第6页
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
