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AS7C1026A
AS7C31026A
功能说明
该AS7C1026A和AS7C31026A是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（ SRAM）组织成设备
65,536字× 16位。它们设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用程序。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该AS7C1026A保证不超过55毫瓦的功耗CMOS
待机模式。该器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0 -I / O15被写入的数据
上升WE的上升沿（写周期1 ）和CE （写周期2 ） 。为了防止总线冲突，外部设备只能输出后驱动I / O引脚
已停用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写启动被激活，输出
司机留在高阻抗模式。
该设备提供了多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O0 -I / O7 ，和UB控制较高位，I / O8 -I / O15 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1026A ）或3.3V电源（ AS7C31026A ） 。该
器件采用通用的工业标准封装。芯片级BGA封装，易于制造到使用，提供最小
可能的足迹。这48球JEDEC注册封装具有0.75 mm的8毫米×6毫米的焊球间距及外形尺寸。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
AS7C1026A
AS7C31026A
两
两
两
两
两
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
注：强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
LB
X
L
H
L
L
L
H
X
H
UB
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I / O0 -I / O7 I / O8 -I / O15
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
KEY：
H =高，L =低，X =无关。
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
9 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
