2001年3月
®
AS7C1026
AS7C31026
5V / 3.3V 64K × 16的CMOS SRAM
特点
• AS7C1026 （ 5V版）
• AS7C31026 （ 3.3V版本）
•工业和商业版本
•组织： 65,536字×16位
•中心电源和接地引脚为低噪音
•高速
- 20年12月15日NS地址，访问时间
- 6,7,8 ns输出使能访问时间
•低功耗：ACTIVE
- 880毫瓦（ AS7C1026 ） /最大@ 12纳秒
- 396毫瓦（ AS7C31026 ） /最大@ 12纳秒
•低功耗：待机
- 28毫瓦（ AS7C1026 ） / MAX CMOS I / O
- 18毫瓦（ AS7C31026 ） / MAX CMOS I / O
• 2.0V数据保留
•易于扩展内存通过CE ， OE输入
• TTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准包装
- 44引脚400密耳SOJ
- 44引脚400密耳的TSOP II
- 48球6毫米× 8毫米CSP的mBGA
• ESD保护
≥
2000伏
•闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
管脚配置
44引脚SOJ ， TSOP II （ 400万）
V
CC
行解码器
64K × 16
ARRAY
GND
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
WE
UB
OE
LB
CE
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48 -CSP小型球栅阵列封装
1
2
3
4
5
A
LB
OE
A
0
A
1
A
2
B I / O8 UB
A3
A4 CE
C I / O9 I / O10 A5
A6的I / O1
D V
SS
I / O11 NC
A7的I / O3
ê V
DD
I / O12 NC
NC I / O4
F I / O14 I / O13 A14 A15 I / O5
G I / O15 NC A12 A13 WE
ħ NC
A8
A9 A10 A11
6
NC
I/O0
I/O2
V
DD
V
SS
I/O6
I/O7
NC
选购指南
AS7C1026-12
AS7C31026-12
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影部分表示的初步信息。
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026-15
AS7C31026-15
15
8
150
100
10
10
AS7C1026-20
AS7C31026-20
20
10
140
90
15
15
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
12
6
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026
AS7C31026
160
110
10
10
3/23/01; v.1.0
半导体联盟
10 P. 1
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
