AS7C256A
®
功能说明
该AS7C256A是5.0V高性能CMOS 262,144位静态随机存取（ SRAM ）器件组织记忆
为32,768字× 8位。它是专为需要在低电压下的快速数据存取记忆体应用，包括
奔腾
TM
和PowerPC
TM
和便携式计算。联盟的先进的电路设计和工艺技术允许5.0V
操作在不牺牲性能或经营利润。
该器件进入
待机模式
当
CE
高。 CMOS待机模式下消耗
≤11
毫瓦。正常运行提供了75 ％
经初步获得降低功耗，在CPU空闲，暂停和拉伸模造成显著降低功耗。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5，6， 7，8纳秒
非常适合高性能应用。该芯片使能（
CE
）输入允许轻松扩展内存与多个银行
记忆的组织。
写周期是由断言芯片使能（ CE）和写使能（ WE） LOW完成。输入引脚上的I / O0 -I / O7数据
被写入的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应
驱动器I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言芯片来完成使能（
CE
）和输出使能（
OE
）较低，写使能（
WE
）高。该
片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当芯片使能或输出使能高，或写
能低，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容。操作是从一个单一的5.0 ±0.5V电源。该AS7C256A打包
在大批量工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
数据
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
KEY：
X =无关，L =低，H =高
9/24/04; v.1.2
半导体联盟
9 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
