AS7C256
AS7C256L
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片使能对数据保留时间
手术恢复时间
输入漏电流
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
V
CC
= 2.0V
CE
≥
V
CC
–0.2V
V
in
≥
V
CC
–0.2V
or
V
in
≤
0.2V
测试条件
民
2.0
–
0
t
RC
–
最大
–
150
–
–
1
（只有L型）
单位
V
µ
A
ns
ns
|
I
LI
|
µ
A
（只有L型）
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
V
IH
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
V
DR
≥
2.0V
4.5V
t
R
V
DR
V
IH
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AS7C256-07
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AC测试条件
•输出负载：见图B ，
除吨
CLZ
和T
CHZ
见图C.
- 输入脉冲电平： GND到3.0V 。如图A所示。
- 输入上升和下降时间： 5ns的。如图A所示。
- 输入和输出定时的参考电平： 1.5V 。
D
OUT
90%
10%
90%
10%
+5V
480
Ω
+3.0V
GND
255
Ω
D
OUT
30 pF的*
GND
图B ：输出负载
AS7C256-09
戴维南等效：
168
Ω
D
OUT
+1.728V
+5V
480
Ω
255
Ω
5 pF的*
*包括范围
和夹具电容
图A ：输入波形
AS7C256-08
GND
图C ：输出负载吨
CLZ
, t
CHZ
AS7C256-10
笔记
1.
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10.
11.
在V
CC
电时，一个上拉电阻到V
CC
在CE上是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
对于测试环境，请见
AC测试条件，
图A ，B ， C。
t
CLZ
和T
CHZ
用CL = 5pF的如图C过渡被指定为被测量
±
为500mV从稳态电压。
此参数是保证，但未经测试。
WE为高的读周期。
CE和OE是低电平的读周期。
地址有效之前或与CE过渡低相一致。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CE或我们必须在地址转换高。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
6
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
