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AS7C256-20TC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C256-20TC图片预览
型号: AS7C256-20TC
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内容描述: 高性能32Kx8 CMOS SRAM [High Performance 32Kx8 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 128 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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高性能
32K
×
8
CMOS SRAM
32K
×
8 CMOS SRAM (通用I / O)
特点
•组织: 32,768字
×
8位
•高速
- 10/12/15/20/25/35 NS地址,访问时间
- 3/3/4/5/6/8 ns输出使能访问时间
•低功耗
- 活动:
•待机:
660毫瓦最大( 10 ns的周期)
11毫瓦最大, CMOS I / O
2.75毫瓦最大, CMOS I / O ,L版本
•平等接入和周期时间
AS7C256
AS7C256L
•易于内存扩展CE和OE输入
• TTL兼容,三态I / O
• 28引脚JEDEC标准封装
- 300万PDIP和SOJ
插座7C512和7C1024兼容
- 330密耳SOIC
- 8 × 13.4 TSOP
• ESD保护> 2000伏
•闩锁电流> 200毫安
- 主动式功率极低的直流分量
• 2.0V数据保留(L版)
逻辑框图
管脚配置
DIP , SOJ , SOIC
VCC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A14
行解码器
I/O7
256×128×8
ARRAY
(262,144)
SENSE AMP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O0
列解码器
WE
控制
电路
OE
CE
TSOP 8
×
13.4
A A A A A A A
7 8 9 10 11 12 13
AS7C256-01
选购指南
7C256-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
3
120
2.0
L
0.5
7C256-12
12
3
115
2.0
0.5
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
AS7C256
AS7C256
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
AS7C256-02
A1
A2
7C256-15
15
4
110
2.0
0.5
7C256-20
20
5
100
2.0
0.5
7C256-25
25
6
90
2.0
0.5
7C256-35
35
8
80
2.0
0.5
单位
ns
ns
mA
mA
mA
半导体联盟