AS7C256
AS7C256L
功能说明
该AS7C256是一种高性能的CMOS 262,144位
组织为静态随机存取存储器（ SRAM）的
32,768字
×
8位。它是专为存储应用
系统蒸发散的地方快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口安排
荷兰国际集团是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的
10/12/15/20/25/35 NS与输出使能访问时间（T
OE
)
3/3/4/5/6/8的NS非常适合高性能应用
系统蒸发散。芯片使能（ CE ）输入允许容易记忆
扩大与多个银行的内存组织。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该
标准AS7C256保证不超过11毫瓦
功耗在待机模式;在L型是瓜尔
及担不超过2.75毫瓦，通常只需要
500
µW.
在L型还提供2.0V数据保留，与
在300这一模式的最大功耗
µW.
写周期是由断言芯片来完成使能（ CE ）
和写使能（WE ）低。输入引脚上的数据
I / O0 -I / O7被写在WE的上升沿（写周期1）
或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部
设备应驱动I / O引脚输出一直后才
残疾人与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言芯片来完成使能（ CE ）
和输出使能（OE ）低，用写使能（WE）
HIGH 。该芯片的驱动器的I / O引脚的数据字为参考
通过输入地址的转制。当芯片使能或输出
能为高，或写使能为低电平，输出驱动器留
在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作
化是从单一5V电源。该AS7C256打包
在所有大批量的工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
直流输出电流
符号
V
t
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–
–55
–10
–
最大
+7.0
1.0
+150
+85
20
单位
V
W
o
C
o
C
mA
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他条件以外的那些的业务部门所标明的功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
.
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
in
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
输出禁用
读
写
KEY：
X =无关，L =低，H =高
2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
