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AS7C31025B-10JCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31025B-10JCN图片预览
型号: AS7C31025B-10JCN
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内容描述: 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM (中心电源和地) [3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 99 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C31025B
®
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
= -1.0V脉冲宽度小于5ns的
V
IH =
V
CC
+ 1.5V的脉冲宽度小于5ns的
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
3.0
2.0
–0.5
0
–40
公称
3.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
直流工作特性(在工作范围内)
1
-10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
-12
-15
-20
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE
V
IL
, f = f
最大
,
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大
CE
V
IH
, f = f
最大
V
CC
=最大,CE
V
CC
–0.2 V,
V
IN
0.2 V或V
IN
V
CC
–0.2 V,
f=0
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
1
1
1
1
1
1
1
1
µA
µA
I
CC
70
65
60
55
mA
I
SB
待机功耗
电源电流
1
I
SB1
V
OL
V
OH
30
25
20
20
mA
2.4
5
0.4
2.4
5
0.4
2.4
5
0.4
2.4
5
0.4
mA
V
V
输出电压
电容(
F = 1 MHz时,T
a
= 25
o
C,V
CC
=额定
)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE, WE , OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
3/24/04, v. 1.3
半导体联盟
9 P. 3