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AS7C31026B-20JIN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31026B-20JIN图片预览
型号: AS7C31026B-20JIN
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内容描述: 3.3 V 64K ×16的CMOS SRAM [3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 123 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2004年3月
®
AS7C31026B
3.3 V 64K ×16的CMOS SRAM
特点
•工业和商业版本
•组织: 65,536字× 16位
•中心电源和接地引脚为低噪音
•高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5,6 ,7,8 ns的输出使能存取时间
•低功耗:ACTIVE
- 288毫瓦/ MAX @ 10纳秒
•易于扩展的内存使用
CE
,
OE
输入
• TTL兼容,三态I / O
• JEDEC标准包装
• ESD保护
2000伏
•闩锁电流
200毫安
- 44引脚400密耳SOJ
- 44引脚TSOP 2-400
•低功耗:待机
- 18毫瓦/ MAX CMOS I / O
• 6吨0.18 ü CMOS技术
逻辑框图
A0
管脚配置
V
CC
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
行解码器
A1
44引脚SOJ ( 400万) , TSOP 2
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
64 K × 16
ARRAY
GND
WE
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
UB
OE
LB
CE
选购指南
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-12
12
6
75
5
-15
15
7
70
5
AS7C31026B
I / O
卜FF器
控制电路
-20
20
8
65
5
单位
ns
ns
mA
mA
10
5
80
5
3/26/04, v 1.3
半导体联盟
10 P. 1
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