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AS7C32098A-10TCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C32098A-10TCN图片预览
型号: AS7C32098A-10TCN
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内容描述: 3.3 V 128K ×16的CMOS SRAM [3.3 V 128K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 199 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2005年2月
初步信息
AS7C32098A
®
3.3 V 128K × 16的CMOS SRAM
特点
•工业和商业温度
•组织: 131,072字× 16位
•中心电源和接地引脚
•高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 4/5/6/7 ns输出使能访问时间
- 28.8毫瓦/ MAX CMOS
•单个字节的读/写控制
•易于扩展内存通过CE , OE输入
• TTL和CMOS兼容的三态I / O
• 44引脚JEDEC标准封装
• ESD保护
2000伏
•闩锁电流
200毫安
- TSOP 2
•低功耗:ACTIVE
- 650毫瓦/ MAX @ 10纳秒
•低功耗:待机
逻辑框图
对于TSOP 2引脚排列
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A16
A15
A14
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A13
A12
A11
A10
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
1024 × 128 × 16
ARRAY
(2,097,152)
GND
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
UB
OE
LB
CE
选购指南
–10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
产业
广告
10
4
180
170
8
–12
12
5
160
150
8
–15
15
6
140
130
8
–20
20
7
110
100
8
单位
ns
ns
mA
mA
mA
2/24/05, v. 1.0
半导体联盟
10 P. 1
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