AS7C32098A
®
功能说明
该AS7C32098A是一个高性能的CMOS 2097152位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
131,072字× 16位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口是
所需。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 4/5/6/7 NS是
非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行
内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该装置可保证不超过28.8mW功率消耗在
CMOS待机模式。写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。在输入数据
销的I / O 1 -I / O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部
设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该器件提供多种中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节是
写入和读取。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有芯片的输入和输出TTL和CMOS兼容，且操作于3.3V （ AS7C32098A ）供应。该装置是
在提供JEDEC标准的TSOP封装2 。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+0.50
1.5
+150
+125
±20
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE
H
L
L
WE
X
H
X
OE
X
H
X
LB
X
X
H
L
UB
X
X
I/O1–I/O8
高Z
高Z
I/O9–I/O16
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
H
H
L
L
H
L
L
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
L
H
L
H
L
L
阅读（我
CC
)
L
L
X
H
L
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
2/24/05,v. 1.0
半导体联盟
10 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
