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AS7C3256A-12JIN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS7C3256A-12JIN
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内容描述: 3.3V 32K ×8 CMOS SRAM (通用I / O) [3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 9 页 / 248 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C3256A
®
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
广告
产业
符号
V
CC
V
IH **
V
IL *
T
A
T
A
3.0
2.0
-0.5
0
–40
典型
3.3
最大
3.6
V
CC
+0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
* V MIN = -1.0V脉冲宽度小于5ns的。
**
IL
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
直流工作特性(在工作范围内)
1
-10
参数
输入漏
当前
符号
|I
LI
|
测试条件
V
CC
=最大,
V
in
= GND到V
CC
最大
1
1
50
-12
最大
1
1
45
-15
最大
1
1
40
-20
最大
1
1
35
单位
µA
µA
mA
输出漏
V =最大,
|I
LO
|
CC
当前
V
OUT
= GND到V
CC
操作
V
CC
=最大,CE
V
IL
电源I
CC
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
当前
I
SB
待机功耗
电源电流
V
CC
=最大,CE
& GT ;
V
IH
f = f
最大
20
20
20
20
mA
V
CC
=最大,CE
& GT ;
V
CC
–0.2V
I
SB1
V
IN
& LT ; 0.2V或
V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V , F = 0
V
OL
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
V
OH
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
2.4
2.0
0.4
2.4
2.0
0.4
2.4
2.0
0.4
2.4
2.0
0.4
mA
V
V
输出电压
电容( F = 1MHz的,T
a
=室温,V
CC
=标称)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE, WE , OE
I / O
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
4/23/04; v.2.0
半导体联盟
9 P. 3