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    AS7C33256NTD36A-166TQC 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C33256NTD36A-166TQC图片预览
    型号： AS7C33256NTD36A-166TQC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V 256K X 2/36流水线突发同步SRAM与NTD [3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 441 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C33256NTD36A-166TQC的Datasheet PDF文件第9页  
    2004年11月
    ®
    AS7C33256NTD32A
    AS7C33256NTD36A
    3.3V 256K × 36分之32流水线突发同步SRAM与NTD
    TM
    特点
    •组织： 262,144字× 32位或36位
    • NTD
    ™
    架构，高效的总线操作
    •快速的时钟速度为166 MHz的
    •快速时钟到数据存取： 3.5 / 4.0纳秒
    •快速OE访问时间： 3.5 / 4.0纳秒
    •完全同步操作
    •常见的数据输入和数据输出
    •异步输出使能控制
    •提供100引脚TQFP
    •字节写使能
    •时钟使能保持操作
    •多芯片能够很容易地扩展
    • 3.3核心供电
    • 2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
    DDQ
    •自定时写周期
    •交错或线性脉冲模式
    •贪睡模式，待机操作
    逻辑框图
    A[17:0]
    18
    D
    地址
    注册
    突发的逻辑
    Q
    18
    CLK
    D
    CE0
    CE1
    CE2
    读/写
    BWA
    BWB
    BWC
    BWD
    ADV / LD
    LBO
    ZZ
    36/32
    写入延迟
    地址。注册
    CLK
    Q
    18
    控制
    逻辑
    CLK
    写缓冲器
    CLK
    36/32
    256K X 32/36
    SRAM
    ARRAY
    DQ [ A：D ]
    D
    数据
    Q
    输入
    注册
    CLK
    36/32
    36/32
    36/32
    CLK
    CEN
    CLK
    产量
    注册
    OE
    36/32
    OE
    DQ [ A：D ]
    选购指南
    -166
    最小周期时间
    最大时钟频率
    最大时钟存取时间
    最大工作电流
    最大待机电流
    最大的CMOS待机电流（DC）的
    6
    166
    3.5
    475
    130
    30
    -133
    7.5
    133
    4
    400
    100
    30
    单位
    ns
    兆赫
    ns
    mA
    mA
    mA
    11/30/04, v. 2.1
    半导体联盟
    19 P. 1
    版权所有©联半导体公司。版权所有。

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