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    AS7C33512NTD36A-133TQC 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C33512NTD36A-133TQC图片预览
    型号： AS7C33512NTD36A-133TQC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V 512K X 32/36流水线SRAM与NTD [3.3V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 18 页 / 426 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C33512NTD36A-133TQC的Datasheet PDF文件第9页  
    2005年4月
    ®
    AS7C33512NTD32A
    AS7C33512NTD36A
    3.3V 512K × 32/36流水线SRAM与NTD
    TM
    特点
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    组织： 524,288字× 32或36位
    新台币
    ™
    架构，高效的总线操作
    快速的时钟速度为166 MHz的
    快速时钟到数据存取： 3.4 / 3.8纳秒
    快速OE访问时间： 3.4 / 3.8纳秒
    完全同步操作
    异步输出使能控制
    可提供100引脚TQFP封装
    单个字节的写入和全局写
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    时钟使能保持操作
    多芯片能够很容易地扩展
    3.3V内核电源
    2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
    DDQ
    自定时写周期
    交错式或线性突发模式
    贪睡模式，待机操作
    逻辑框图
    A[18:0]
    19
    D
    地址
    注册
    突发的逻辑
    Q
    19
    CLK
    CE0
    CE1
    CE2
    读/写
    BWA
    BWB
    BWC
    BWD
    ADV / LD
    LBO
    ZZ
    D
    Q
    19
    写入延迟
    地址。注册
    CLK
    控制
    逻辑
    CLK
    写缓冲器
    CLK
    512K X 32/36
    SRAM
    ARRAY
    DQ [A，B ， C，D ]
    32/36
    D
    数据
    Q
    输入
    注册
    CLK
    32/36
    32/36
    32/36
    32/36
    CLK
    CEN
    CLK
    OE
    产量
    注册
    32/36
    OE
    DQ [A，B ， C，D ]
    选购指南
    -166
    最小周期时间
    最大时钟频率
    最大时钟存取时间
    最大工作电流
    最大待机电流
    最大的CMOS待机电流（DC）的
    6
    166
    3.4
    300
    90
    60
    -133
    7.5
    133
    3.8
    275
    80
    60
    单位
    ns
    兆赫
    ns
    mA
    mA
    mA
    4/21/05, v 2.8
    半导体联盟
    18 P. 1
    版权所有©联半导体公司。版权所有。

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