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    AS7C33512PFS36A-166TQC 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C33512PFS36A-166TQC图片预览
    型号： AS7C33512PFS36A-166TQC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V 512K X 32/36流水线突发同步SRAM [3.3V 512K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 542 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C33512PFS36A-166TQC的Datasheet PDF文件第9页  
    十二月2004⏐
    ®
    AS7C33512PFS32A
    AS7C33512PFS36A
    3.3V 512K
    ×
    32/36流水线突发同步SRAM
    特点
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    组织： 524,288字× 32或36位
    快速的时钟速度为166 MHz的
    快速时钟到数据存取： 3.4 / 3.8纳秒
    快速OE访问时间： 3.4 / 3.8纳秒
    完全同步寄存器到寄存器操作
    单周期解选
    异步输出使能控制
    可提供100引脚TQFP封装
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    单个字节的写入和全局写
    多芯片能够很容易地扩展
    3.3V内核电源
    2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
    DDQ
    线性或交错突发控制
    贪睡模式，降低功耗，待机
    常见的数据输入和数据输出
    逻辑框图
    LBO
    CLK
    ADV
    ADSC
    ADSP
    A[18:0]
    19
    CLK
    CE
    CLR
    D
    CE
    地址
    注册
    CLK
    D
    Q0
    突发的逻辑
    Q1
    19
    Q
    17
    19
    512K × 32/36
    内存
    ARRAY
    GWE
    BWE
    BW
    d
    DQ
    d
    Q
    字节写
    注册
    CLK
    D
    DQ
    c
    Q
    字节写
    注册
    CLK
    D
    DQ
    b
    Q
    字节写
    注册
    CLK
    D
    DQ
    a
    Q
    字节写
    注册
    CLK
    D
    启用
    CE
    注册
    CLK
    动力
    下
    D
    启用
    Q
    延迟
    注册
    CLK
    Q
    36/32
    36/32
    BW
    c
    BW
    b
    BW
    a
    CE0
    CE1
    CE2
    4
    OE
    产量
    注册
    CLK
    输入
    注册
    CLK
    ZZ
    OE
    36/32
    DQ [ A：D ]
    选购指南
    最小周期时间
    最大时钟频率
    最大时钟存取时间
    最大工作电流
    最大待机电流
    最大的CMOS待机电流（DC）的
    -166
    6
    166
    3.4
    300
    90
    60
    -133
    7.5
    133
    3.8
    275
    80
    60
    单位
    ns
    兆赫
    ns
    mA
    mA
    mA
    12/23/04, v 2.6
    半导体联盟
    1 19
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