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AS7C34096A-12TC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C34096A-12TC图片预览
型号: AS7C34096A-12TC
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内容描述: 3.3V 512K ×8 CMOS SRAM [3.3V 512K x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2004年8月
®
AS7C34096A
3.3V 512K × 8 CMOS SRAM
特点
•引脚兼容AS7C34096
•工业和商业温度
•组织: 524,288字×8位
•中心电源和接地引脚
•高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 4/5/6/7 ns输出使能访问时间
•平等接入和周期时间
•易于扩展内存通过CE , OE输入
• TTL兼容,三态I / O
• JEDEC标准封装
• ESD保护
2000伏
•闩锁电流
200毫安
- 400万36引脚SOJ
- 44引脚TSOP 2
•低功耗:ACTIVE
- 650毫瓦/ MAX @ 10纳秒
管脚配置
s
36引脚SOJ ( 400万)
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
•低功耗:待机
- 28.8毫瓦/ MAX CMOS
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
行解码器
524,288 × 8
ARRAY
(4,194,304)
SENSE AMP
I/O1
44针TSOP 2
I/O8
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
列解码器
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
控制
电路
WE
OE
CE
选购指南
最大地址访问时间
最大outputenable访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
产业
广告
–10
10
4
180
170
8
–12
12
5
160
150
8
–15
15
6
140
130
8
–20
20
7
110
100
8
单位
ns
ns
mA
mA
mA
8/17/04, v. 2.1
半导体联盟
9 P. 1
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