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AS7C34096-12JCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C34096-12JCN图片预览
型号: AS7C34096-12JCN
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内容描述: 5V / 3.3V 512K X8 CMOS SRAM [5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 9 页 / 247 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C4096
AS7C34096
®
写周期(在整个工作范围内)
11
–10
参数
符号最小值
最大
写周期时间
t
WC
10
芯片使能( CE)写结束
t
CW
7
地址设置写到底
t
AW
7
地址建立时间
t
AS
0
把脉冲宽度( OE =高)
t
WP1
7
写脉冲宽度( OE =低
t
WP2
10
从写结束地址保持
t
AH
0
写恢复时间
t
WR
0
有效的数据写入结束
t
DW
5
数据保持时间
t
DH
0
写使能到输出中高Z
t
WZ
0
5
从输出的写端活跃
t
OW
3
–12
最大
12
8
8
0
8
12
0
0
6
0
0
6
3
–15
最大
15
10
10
0
10
15
0
0
7
0
0
7
3
–20
最大
20
12
12
0
12
20
0
0
9
0
0
9
3
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
写波形1 (我们控制)
10,11
t
WC
t
AW
地址
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR
t
AH
写波形2 ( CE控制)
10,11
t
WC
t
AW
地址
t
AS
CE
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW
t
WR
t
AH
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
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