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AS7C34098A-12TC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C34098A-12TC图片预览
型号: AS7C34098A-12TC
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内容描述: 3.3 V 256的K× 16的CMOS SRAM [3.3 V 256 K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 152 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C34098A
®
写波形3
10
t
WC
t
AH
t
WR
地址
t
AS
t
CW
CE
t
AW
t
BW
LB , UB
WE
数据
IN
数据
OUT
高Z
t
WZ
数据中,未定义
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
高Z
AC测试条件
-
-
-
-
输出负载:见图B.
输入脉冲电平: GND到3.0V 。如图A所示。
输入上升和下降时间: 2纳秒。如图A所示。
输入和输出的定时参考水平: 1.5V 。
+3.0V
GND
90%
10%
2纳秒
图A :输入脉冲
90%
10%
D
OUT
350Ω
+3.3V
320Ω
C
11
戴维南等效:
168Ω
D
OUT
+1.728V
GND
图B : 3.3V输出负载
笔记
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
在V
CC
电时,一个上拉电阻到V
CC
在CE上是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
对于测试环境,请见
AC测试条件,
图A和B.
t
CLZ
和T
CHZ
用C指定
L
= 5pF的,如图B.转变是从稳态电压测量± 500mV的。
此参数是保证,但未经测试。
WE为高的读周期。
CE和OE是低电平的读周期。
地址有效之前或与CE过渡低相一致。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
C = 30pF的,除了在高Z和低Z参数,其中C = 5pF的。
8/17/04,v. 2.1
半导体联盟
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