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AS7C34098-10JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS7C34098-10JC
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内容描述: 5V / 3.3V 256K ×16的CMOS SRAM [5V/3.3V 256K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 235 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C4098
AS7C34098
®
写波形3
10,11
t
WC
t
AH
t
WR
地址
t
AS
CE
t
AW
t
BW
LB , UB
WE
数据
IN
数据
OUT
高Z
t
WZ
数据中,未定义
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
高Z
t
CW
AC测试条件
-
-
-
-
输出负载:见图B或C.图
输入脉冲电平: GND到3.0V 。如图A所示。
输入上升和下降时间: 2纳秒。如图A所示。
输入和输出的定时参考水平: 1.5V 。
+3.0V
GND
90%
10%
2纳秒
图A :输入脉冲
90%
10%
戴维南等效:D
OUT
+5V
D
OUT
255Ω
480Ω
C
13
168Ω
+ 1.728V ( 5V和3.3V )
+3.3V
320Ω
C
13
D
OUT
350Ω
GND
图B : 5V输出负载
GND
图C : 3.3V输出负载
笔记
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
在V
CC
电时,一个上拉电阻到V
CC
在CE上是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
对于测试环境,请见
AC测试条件,
图A ,B , C。
t
CLZ
和T
CHZ
用C指定
L
= 5pF的,如图C.转变是从稳态电压测量± 500mV的。
此参数是保证,但未经测试。
WE为高的读周期。
CE和OE是低电平的读周期。
地址有效之前或与CE过渡低相一致。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CE或我们必须在高地址转换。 CE或WE断言高结束写周期。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
不适用。
C = 30pF的,除了在高Z和低Z参数,其中C = 5pF的。
1/13/05;
v.1.9
半导体联盟
10第7页