AS7C4098
AS7C34098
®
功能说明
该AS7C4098和AS7C34098是高性能的CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为262,144字× 16位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，以及
简单的接口都需要的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 5/6/7/8 NS是
非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行
内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。标准AS7C4098 / AS7C34098保证不超过110 /
72MW功耗的CMOS待机模式。写周期是由断言写完成使能（ WE）和芯片
使能（ CE） 。输入引脚上的I / 01 -I / O16被写在WE的上升沿数据（写周期1）或CE （写周期2）。对
避免总线冲突，外部设备应该驱动I / O引脚后才能输出已被禁用与输出使能（ OE ）或
写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
这些器件提供多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节
写入和读出。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有芯片的输入和输出TTL和CMOS兼容，操作是从一个单5V （ AS7C4098 ）或3.3V
（ AS7C34098 ）供应。两款器件都采用JEDEC标准的400毫升， 44引脚SOJ和TSOP 2包。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
储存温度
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C4098
AS7C34098
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.5
+150
+125
±20
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
X
H
OE
X
H
X
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O1–I/O8
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
I/O9–I/O16
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
L
L
X
H
L
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
1/13/05;
v.1.9
半导体联盟
10 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
