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AS7C4096-20TI 参数 Datasheet PDF下载

AS7C4096-20TI图片预览
型号: AS7C4096-20TI
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内容描述: 5V / 3.3V 512K X8 CMOS SRAM [5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 247 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2005年1月
®
AS7C4096
AS7C34096
5V / 3.3V 512K × 8 CMOS SRAM
特点
• AS7C4096 ( 5V版)
• AS7C34096 ( 3.3V版本)
•工业和商业温度
•组织: 524,288字×8位
•中心电源和接地引脚
•高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间
•低功耗:待机
- 110毫瓦( AS7C4096 ) / MAX CMOS
- 72毫瓦( AS7C34096 ) / MAX CMOS
•平等接入和周期时间
•易于扩展内存通过CE , OE输入
• TTL兼容,三态I / O
• JEDEC标准封装
• ESD保护
2000伏
•闩锁电流
百毫安
- 400万36引脚SOJ
- 44引脚TSOP 2
•低功耗:ACTIVE
- 1375兆瓦( AS7C4096 ) /最大@ 12纳秒
- 576毫瓦( AS7C34096 ) /最大@ 10纳秒
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
I/O1
管脚配置
s
36引脚SOJ ( 400万)
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
44针TSOP 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
行解码器
524,288 × 8
ARRAY
(4,194,304)
SENSE AMP
I/O8
列解码器
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
WE
OE
CE
控制
电路
选购指南
最大地址访问时间
最大outputenable访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
AS7C4096
AS7C34096
AS7C4096
AS7C34096
–10
10
5
160
20
–12
12
6
250
130
20
20
–15
15
7
220
110
20
20
–20
20
8
180
100
20
20
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
9 P. 1
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